近日，第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京舉行，山東天岳先進科技股份有限公司憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的突破，獲得“半導體電子材料”類金獎。據介紹，這是中國企業自該獎項設立31年以來的首次問鼎，標志著中國在半導體關鍵基礎材料領域實現了歷史性重大突破。

半導體年度獎由日本半導體產業專業媒體《電子器件產業新聞》（創刊于1991年）主辦，旨在從全球范圍內表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創新，其獎項以嚴苛的評選標準和行業權威性著稱。歷屆獲獎企業組成全球半導體產業的“黃金榜單”，包括東芝、住友電工、昭和電工等日本產業巨擘，以及英偉達、索尼、美光等國際產業巨頭。

碳化硅作為第三代半導體的基石，其襯底材料的品質與制備技術直接決定了整個產業鏈的性能、成本和下游應用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G/6G通信、數據中心等戰略新興產業發展的根本所在。長期以來，高品質、大尺寸碳化硅襯底的制備技術壁壘極高，是國際競爭的焦點。面對挑戰，天岳先進長期深耕襯底材料研發，通過不懈的技術攻堅與產業化推進，在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環節取得一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領先水平。

近年來，山東省建立完善“鏈長制”推進機制，將集成電路確定為標志性產業鏈之一，集聚政策合力、資源要素，全力實施“強芯”工程，初步實現涵蓋設計、制造、封測、配套等環節的全產業鏈發展能力，2024年，全省集成電路產量同比增長31.6%，高于全國9.4個百分點。在顯示芯片、光電芯片、FPGA芯片以及大尺寸硅片、電子特氣、光刻膠等領域涌現了一批拳頭產品，形成了12英寸晶圓制造能力，多家企業承擔工信部等國家部委重大攻關任務，以第三代半導體為代表的產業特色優勢加快塑強。

（大眾新聞記者 付玉婷）